于洪宇课题组招聘博士后

本课题组具有多年的氮化镓基功率器件和射频器件的研究基础，依托广东省GAN器件工程技术研究中心和第三代半导体器件深圳市重点实验室，并与深圳市第三代半导体研究院合作紧密。课题组负责人有多项在研课题，科研经费充裕。课题组依托的实验室和测试中心，实验条件完善，可以提供完整的器件加工和测试平台，鼓励科研创新。优秀工作者可以带领研究助理（ra或研究生）共同开展科研工作。

课题组负责人简介：于洪宇教授，目前担任南方科技大学深港微电子学院院长，深圳第三代半导体研究院副院长。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省氮化镓器件工程技术中心，并成立团队。享受深圳特 殊 津 贴，英 国 工程技术学会会士(fellow of iet)，任综合类 学 术 期 刊“science bulletin”（科学通报英文版）副主编以及“Journal of Semiconductor”编辑。于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面，包括cmos、新型超高密度存储器、氮化镓器件与系统集成，取得了一系列创新性工作成果。发表学术论文370篇以上（包括期刊与会议），其中近170篇被SCI收录，总他引次数超过了4500 次，h 影响因子为37。受邀撰写了4 本专业书籍的章节，并编辑2本书籍，hafnium: chemical characteristics, production and application和gallium nitride power devices。发表/授予近20 项美国/欧洲专利以及十项以上国内专利。作为项目负责人，承担超过 5000 万的科研项目。在南科大建成超过600平米的洁净间，形成一个完整的6英寸工艺实验室，其硬件水平相对领先。

专业：微电子学、材料、物理、化学

招聘条件：

1、在相关专业已毕业或者即将毕业的博士； 985或境外名校相关专业博士优先；年龄在35岁以下，获博士学位不超过3年；

2、热衷科学研究、恪守学术道德准则，有强烈的责任心，工作勤奋踏实，具有团队合作精神，具有较强的科研能力，能独立完成第三代半导体材料、器件或电路设计相关研究等任务；

3、有良好的英文写作与交流能力，能撰写高水平中、英文研究论文，已在相关研究领域发表有影响力的高水平学术论文（第一作者或通讯作者）。

岗位职责：

1、参与课题组与第三代半导体材料、器件及电路设计方向相关的科研工作；

2、协助课题组申报各类科研课题及承担相应的科学研究任务；

3、发表具有国际竞争力的高水平学术论文；

4、协助完成课题组的其他日常工作。

薪酬待遇及聘期：

1、博士后聘期两年；

2、博士后年薪33.5万元左右，含广东省补助15万元（税前）及深圳市生活补助6万元（税后），并按深圳市有关规定缴纳社会保险及住房公积金。博士后福利参照学校员额内教职工标准发放。

其他待遇政策：

3、特别优秀者可以申请校长卓越博士后，年薪可达41.5万元；（含广东省及深圳市补助）

4、根据博士后具体科研工作业绩情况，可享受院系、课题组相应的科研绩效奖励；

5、课题组提供充足的科研支持，并协助博士后本人作为负责人申请中国博士后科学基金、国家自然科学基金及广东省、深圳市各级科研项目。

联系方式

有意向者请将以下信息整合为一个PDF文件：详细简历、成绩单、research statement。邮件发送至：wangq7@sustech.edu.cn。