1通信芯片应用

氮化镓射频器件

• 目标实现高频、高功率、低损耗的射频GaN HEMT器件，主要用于功率放大器。

• 开发适合5G频段与Sub-6G频段的功率放大器GaN器件，主要研究： (1)欧姆接触、(2)栅极结构、(3)表面钝化等。

无线通信芯片

• 目标实现5G毫米波小基站及其核心通信器件及芯片(PA, LNA, Switch, ADC等) ，已开发国内首个毫米波波段26GHZ的GaN功率放大器。

• 开发77GHz毫米波雷达芯片，承担6G通讯项目如140GHz通讯的 IC核心模组。

光通信芯片

• 光通信有着带宽通量大、电磁干扰小、介质损耗低、传输距离远、保密性好等优点。光通信/光电通信模块广泛应用于各类数据中心，用于满足其高带宽，高速率要求。

• 目标实现高带宽、高速率、低功耗光通信芯片及部件（AFE,TIA,VGA等）。

有线通信芯片

• 有线通信有着抗干扰能力好，可靠性及保密性强、技术成熟、传输稳定等优点，适用于中短距离信号传输。

2人工智能芯片应用

低功耗人脸识别处理器芯片

• 目前首个基于低功耗SRAM的近存储计算架构，解决功耗问题，实现运行功耗仅为23mw。

• 台积电40nm 制程, 面积为2.85x2.27mm2,以5帪每秒的速度实时处理1280x720的高清图像。

低功耗高通量低值化深度学习芯片

• 首个二值化深度学习加速器芯片，实现低功耗(30mW), 高通量(2.5TOPs)，与GPU相比能效提高了7倍。

• 台积电40nm制程，实现34fps场景文本图像（128×32），精度超过90%。

高通量3D多核处理器芯片

• 首个基于2.5D互连集成工艺，解决带宽问题，集成16核的H.264图像处理器芯片，实现24Gbps带宽及7.5pJ/bit能效。

• 台积电65nm + TSI 制程， 2.5D的插入器接口为12个片间互联的通道提供8Gbps的传输速率。

张量压缩算法及芯片

• 通过张量压缩及训练量化算法优化深度学习网络，最终形成高集成、高通量和低功耗的，同时适用于CNN及RNN的深度神经网络，极大地增加压缩率和降低数据处理复杂度，并可在专用人工智能芯片上大规模实现。

高动态图像处理专用集成电路

• 提出了一种单帧高动态图像处理框架，基于监督式可视度量化模型的动态自适应直方图均衡。

• 基于180纳米CMOS工艺设计了像素级流水线的高动态图像处理专用集成电路。该电路作为微显示芯片（OLEDoS）的一部分，用于提升图像质量，形成高动态范围图像。该电路设计了具有累积分布函数滤波的对比度受限自适应直方图均衡电路结构，辅以伽马矫正和对数矫正电路，可以达到实时视频图像处理，并且能够有效抑制图像中的噪声。

双核物体识别协处理器

• 基于65纳米SOI CMOS工艺设计了像素级流水线的图像特征提取的双核物体识别协处理器。特征空间包括方向梯度直方图（Histogram of Oriented Gradients）哈尔特征（Haar-like）特征。

• 应用于行人、汽车等目标识别及局部特征的识别。在特征提取过程中，可以同步处理图像传感器数据，因此避免了用于暂存一帧或多帧图像和积分图像的存储器。

3智能传感应用

氮化镓光电传感器件

红外探测传感器件

体外诊断芯片

4能源芯片应用

功率芯片

GaN器件系统级应用

GaN驱动芯片设计及电源系统集成

混合型高效高集成度LED驱动芯片

低成本、小型化的照明与可见光通信芯片

碳化硅功率半导体芯片