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张国飙

研究教授
个人简介

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张国飚教授博士毕业于美国加州大学伯克利分校,是“三维存储”和“三维计算”领域的开拓者,提出了多项原创性概念。张教授曾任美国3D-ROM公司首席科学家,他2019年1月加入南方科技大学,任深港微电子学院研究教授。所获奖项包括:第四届中国创新创业大赛电子信息行业第一名(2015年);106项中美授权发明专利,包括64项美国授权发明专利和42项中国授权发明专利。

联系方式:zhanggb@sustech.edu.cn
教育经历

1995年 美国加州大学伯克利分校 博士
1992年 美国加州大学伯克利分校 硕士
1986年    中国科技大学少年班 本科 

工作经历

2019年-迄今 南方科技大学 深港微电子学院 研究教授
2001年-2018年 美国3D-ROM公司,首席科学家
1996年-2001年,美国德州仪器公司(TI),高级设计工程师

研究简介

1 张博士是3D-ROM(最通用的3D-M)的发明人(1996年),并获得美国专利US 5,8385,396(1998年)。该专利为3D-M的基础专利,被该领域半数以上美国专利(~500项)引用,并被《EDN》杂志(全球发行量最大的电子类杂志)专题报道(2001年)。目前,张国飙团队在3D-M领域拥有60余项有权有效中美专利;
2 张博士以专利授权的方式,与美国Matrix半导体公司(总投资2亿美元)合作,量产了业界第一款3D-M产品——3D-OTP(2003年)。产品用于Mattel等公司的产品中,月销量百万颗级。Matrix半导体公司入选《Red Herring》杂志“100 Companies that will shape the future”(2002年);
3 2015年,英特尔公司(美国最大的处理器商)和镁光公司(美国最大的存储器商)宣布将联合推出3D-XPoint存储技术,该技术被称为“未来十年最有突破性的存储技术创新”。基于TechInsights的初步分析,已证实3D-XPoint使用了张国飙团队的至少6项专利(2017年)。
4 张博士在业界首先提出“三维计算”的概念(PCT申请PCT/CN2017/075866、PCT/CN2017/077445和PCT/CN2017/080462)。三维计算充分利用3D-M三维集成的优势,提升网络安全、大数据分析、人工智能和超算的性能指标2个数量级以上,将用于下一代高性能处理器。

所获荣誉

第四届中国创新创业大赛 电子信息行业 第一名 (2015年)

代表文章

1. G. Zhang, "3D-ROM - A First Practical Step Towards 3D-IC", Semiconductor International,
July 2000
2. G. Zhang, "Improving IC Yield with Protective Ceramics", Semiconductor International, pp.
217-220, June 2000
3. G. Zhang; Y. King; S. Elfoukhy; E. Hamdy; T. Jing; P. Yu; C. Hu, "On-state reliability of
amorphous silicon antifuses", Proceedings of International Electron Devices Meeting, pp.
551-554, 1995
4. Guobiao Zhang; Chenming Hu; P. Y. Yu; S. Chiang; S. Eltoukhy; E. Z. Hamdy, "An
electro-thermal model for metal-oxide-metal antifuses", IEEE Transactions on Electron Devices,
Volume: 42, Issue: 8, pp. 1548-1558, 1995
5. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; S. Eltoukhy; E. Hamdy, "Reliable metal-to-metal oxide
antifuses", Proceedings of International Electron Devices Meeting, pp. 281-284, 1994
6. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; E. Hamdy, "Metal-to-metal antifuses with very thin silicon
dioxide films", IEEE Electron Device Letters, Volume: 15, Issue: 8, pp. 310 - 312, 1994
7. G. Zhang; C. Hu; P. Yu; S. Chiang; E. Hamdy, "Characteristic voltage of programmed
metal-to-metal antifuses", IEEE Electron Device Letters, Volume: 15, Issue: 5, pp. 166-168,
1994
8. J. H. Huang; G. B. Zhang; Z. H. Liu; J. Duster; S. J. Wann; P. Ko; C. Hu, "Temperature
dependence of MOSFET substrate current", IEEE Electron Device Letters, Volume:
14, Issue: 5, pp. 268-271, 1993