2013年，华南理工大学，材料物理与化学，博士
2008年，西南大学，材料物理，学士

2023/8-至今，南方科技大学，研究教授、博士生导师
2019/4-2023/7，南方科技大学，研究副教授、硕士生导师
2013/7-2019/1，东莞市中镓半导体科技有限公司，历任研发中心高级工程师、事业部副经理、研发部经理和制造部主任

GaN功率器件及集成电路
GaN射频器件及PA模块
Ga2O3器件和集成电路
智能感知网联系统

2025.3-至今，IEEE TED客座编辑
2025.7-至今，广东省GaN器件工程技术研究中心副主任
2024.12-至今，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会委员
2024.8-至今，IEEE Senior Member
2023.8-至今，深圳第三代半导体器件重点实验室副主任
2023年，中国发明协会发明创业奖创新奖二等奖（排名第二）
2022.1-2025.12，IEEE EDS (Electron Devices Society) Power Devices and ICs Committee Member

代表性项目
2024.7-至今 射频异质异构集成全国重点实验室开放课题，项目主持，排名第一，经费:60 万。
2024.6-至今 低压GaN HEMT失效机理及其可靠性分析，横向项目，项目主持，排名第一，经费:60万。
2023.1-至今 广东省自然科学基金青年提升项目，项目主持，排名第一，经费:30 万
2022.10-至今 深圳市科技创新委员会基础研究面上项目，项目主持，排名第一，经费:30万
2021.8-2024.8，深圳市基础研究重点项目，合作单位负责人，排名第一，经费:250万。
2021.2-2021.12，900V耐压GaN功率器件研发，横向项目，项目主持，排名第一，经费:200万。
2020.11-2023.3.深圳市基础研究重点项目，项目骨干，排名第二，经费:250万。2018.1-2020.1，国家自然科学委员会青年科学基金，项目主持，排名第一，经费:24万，已结题。
2014.9-2016.5，中国博士后科学基金项目，项目主持，排名第一，经费:5万，已结题。
2014.10-2017.9，广东省公益研究与能力建设专项项目，项目负责人，排名第一，经费:200万，已结题。
2017.7-2020.12.，“十三五”国家重点研发计划，项目骨干，子课题副组长，排名第二，经费:200万。 

代表性授权专利
1.氮化镓基p沟道器件及其制备方法，授权发明专利。
2.一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法，授权发明专利。
3.一种GaN基反相器及其制备方法，授权发明专利。
4.原位SiN冒层GaN基异质结构器件及其制备方法，授权发明专利。
5.兰姆波谐振器及其制备方法，授权发明专利。
6.一种GaN器件及其制备方法，授权发明专利。
7.一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，授权发明专利。
8.一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法，授权发明专利。
9.一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底，授权发明专利。
10.一种GaN基复合衬底的制备方法，授权发明专利。
 
代表性论文：
1.Yi Zhang, Yi Deng, Dingchen Wang, Zilong Xiong, Yang Jiang, Chenkai Deng,Chuying Tang, Shaocong Wang, Mujun Li, Xiaohui Wang, Fangzhou Du, Qiaoyu Hu,Xiaojuan Qi, Han Wang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. Piezoelectric Surface Acoustic Wave MemristorNeural Network[J]. Science Advances, vol. 12, no. 4, p. eadx6227, Jan. 2026.
2.Yi Zhang, Zilong Xiong, Lewei He, Yang Jiang, Chenkai Deng, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Chuying Tang, Qiaoyu Hu, Mujun Li, Xiaohui Wang, Wenhui Wang, Han Wang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. Electrically reconfigurable surface acoustic wave phase shifters based on ZnO TFTs on LiNbO3 substrate[J]. International Journal of Extreme Manufacturing, 2025, 7(3): 035504.
3.Honghao Lu, Chun Fu, Chuying Tang, Mujun Li, Wenchuan Tao, Fangzhou Du, Hongyu Yu,and Qing Wang*. Low-Resistivity Ohmic Contact on p-GaN/AlGaN/GaN Enabled by Mg-Doped Spin-On-Glass Treatment[J]. IEEE Electron Device Letters, 2025.
4.Wenchuan Tao, Honghao Lu, Chuying Tang, Chun Fu, Xiaowei Ma, Peiran Wang, Ziyang Wang, Qi Wang, Hongyu Yu, Qing Wang*. Interfacial study of ultralow-resistivity Au-free Mg/Ni/Pd contacts on p-GaN/AlGaN/GaN heterostructures,Journal of Alloys and Compounds,2026. (Accepted)
5.ChuYing Tang, ChengKai Deng Yi Zhang, Yang Jiang, Chun Fu, Jiaqi He, Fangzhou Du, Peiran Wang, Kangyao Wen, Nick Tao, Wenyue Yu, Qing Wang*, and HongYu Yu*. Low Contact Resistivity of<10Ω·mm for Au-Free Ohmic Contact on p-GaN/AlGaN/GaN[J]. IEEE Electron Device Letters, 2024.
6.Fangzhou Du, Yang Jiang, Ziyang Wang, Kangyao Wen, Mujun Li, Xiaohui Wang, Yi Zhang, Chenkai Deng, Qing Wang*, Hongyu Yu*. High-Performance InAlN/GaN HEMTs and Monolithically Integrated Inverters Enabled by InAlOxN1-x Plasma-Induced-Oxidation Charge Trapping Layer. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025.
7.Yang Jiang, Fangzhou Du, Ziyang Wang, Kangyao Wen, Mujun Li, Yifan Cui, Han Wang, Qing Wang*, Hongyu Yu*. Dynamic Performance Analysis of GaN Digital Logic Gate Circuits for MHz-level Operation via CTL-based ICs Platform. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025.
8.Mujun Li, Xiaohui Wang, Yang Jiang, Fangzhou Du, Haozhe Yu, Qing Wang*, Hongyu Yu*. Monolithie Integrated-Ga2O3 Inverters Based on Charge Trapping Layer E-mode MOSFETS. 2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2025.
9.Yang Jiang, Shuhui Shi, Shaocong Wang, Fangzhou Du, Peiran Wang, Ning Lin, Wennao Li, Yi Zhang, Leiwei He, Robert Sokolovskij, Jiaqi He, Mujun Li, Dingchen Wang, Xi Chen, Qing Wang*, Hongyu Yu*, and Zhongrui Wang*. In-sensor Reservoir Computing for Gas Pattern Recognition using Pt-AlGaN/GaN HEMTs. Device (2024).
10.Yang Jiang, Fangzhou Du, Kangyao Wen, Jiaqi He, Mujun Li, Chuying Tang, Yi Zhang, Zhongrui Wang*, Qing Wang*, Hongyu Yu*. High V TH and Breakdown Enhancement-Mode GaN HEMTs for Power ICs Application Using Charge Trapping Layer. 2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). IEEE, 2024.
11.Yi Deng, Yi Zhang*, Xinyuan Zhang, Yang Jiang, Xi Chen, Yansong Yang, Xin Tong, Yao Cai, Wenjuan Liu, Chengliang Sun, Dashan Shang, Qing Wang*, Hongyu Yu*, Zhongrui Wang*. MEMS Oscillators-Network-Based Ising Machine with Grouping Method. Advanced Science. 2024, 2310096.
12.JiaQi He, PeiRan Wang, FangZhou Du, KangYao Wen, Yang Jiang, ChuYing Tang, ChenKai Deng, MuJun Li, QiaoYu Hu, Nick Tao, Peng Xiang, Kai Cheng, Qing Wang*, Gang Li, HongYu Yu*. Improved breakdown performance in recessed-gate normally off GaN MIS-HEMTs by regrown fishbone trench. Applied Physics Letters .25 March 2024; 124 (13): 132104.
13.Chuying Tang, Chun Fu, Yang Jiang, Minghao He, Chenkai Deng, Kangyao Wen, Jiaqi He, Peiran Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qiaoyu Hu, Nick Tao, Qing Wang*, HongYu Yu*. Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au Ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity. Applied Physics Letters. 28 August 2023; 123 (9): 092104.
14.Chu-Ying Tang, Hong-Hao Lu, Ze-Peng Qiao, Yang Jiang, Fang-Zhou Du, Jia-Qi He, Yu-Long Jiang*, Qing Wang*, and Hong-Yu Yu*, Ohmic Contact with a Contact Resistivity of 12 Ω·mm on p-GaN/AlGaN/GaN, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1412–1415.
15.Yang Jiang, Dingchen Wang, Ning Lin, Shuhui Shi, Yi Zhang, Shaocong Wang, Xi Chen, Hegan Chen, Yinan Lin, Kam Chi Loong, Jia Chen, Yida Li, Renrui Fang, Dashan Shang*, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. Spontaneous Threshold Lowering Neuron using Second-Order Diffusive Memristor for Self-Adaptive Spatial Attention, Advanced Science, 2023, 2301323.

参与撰写的国家、行业和联盟标准：
1)国家标准：微束分析 透射电子显微术 集成电路芯片中功能薄膜层厚度的测定方法（2024.3.15发布）
2)团体标准：分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估（2022.12.9发布）
3)团体标准：三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范（2022.12.9发布）
4)行业标准：邮政业物联网技术应用指南（已立项）