北京大学理学部副主任沈波教授受邀来我院座谈交流

2023-06-16 综合新闻 浏览量：7298

2023年6月14日，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请，于工学院北楼506举办讲座，报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si村底上GaN及其异质结构的外延生长和缺陷/应力控制。此外，重点介绍北京大学近年来在氮化物半导体大失配异质外延生长动力学及缺陷物理研究上取得的研究进展。

现场交流

    报告结束后沈波教授团队受邀来访我院，深港微电子学院院长于洪宇教授和汪青研究副教授热情接待来访嘉宾，带领参观学院展厅，并介绍深港微电子学院在宽禁带半导体材料、器件和系统应用方面的研究成果，重点介绍了团队近年在GaN功率器件和电源系统、GaN射频器件和PA模块、GaN气体传感器以及氧化镓SBD等领域的成果与进展。加拿大工程院院士吕正红和30余名微电子学院师生参加现场交流活动。

沈波教授讲话

    听取报告后，沈波老师高度评价于洪宇老师课题组团队的成果，并针对于洪宇教授团队的相关科研方向进行讨论。沈教授表示双方需要加强合作，将北京大学的氮化物异质外延技术优势与南科大微电子学院器件制备和系统应用技术积累相结合，推动我国第三代半导体科研的发展。

   于洪宇教授指出，硅基氮化镓射频技术凭借低成本、CMOS可兼容性成为国内外科研重点，目前我院宽禁带半导体研究布局也将该技术的科研发展列为重点方向。同时，我院也将加强与企业的合作，做好产学研结合，为国内宽禁带半导体市场做出更大的贡献。

合影（从左至右：沈波教授、吕正红院士、于洪宇教授）