学术讲座

当前位置 :首页>新闻动态

构建基于物理的TCAD模型用于GaN功率HEMT器件研发

2024-11-06 学术讲座 浏览量：42

Academic Frontier Lecture No. 152

TIME:  2024年11月8日 14:00-15：00

VENUE:  南山智园崇文园区3号楼520会议室

SPEAKER:  郑韦志 世界先进积体电路 技术副理

TITLE: 构建基于物理的TCAD模型用于GaN功率HEMT器件研发

HOST:  汪青 研究教授

20241108-SME学术讲座152期 郑韦志.jpg

没有了
南方科技大学深港微电子学院成功举办首届深港澳实验班专业介绍会

相关内容

  • 综合新闻
  • 科研新闻
  • 通知公告
  • 学术讲座