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构建基于物理的TCAD模型用于GaN功率HEMT器件研发

2024-11-06 学术讲座 浏览量：175

Academic Frontier Lecture No. 152

TIME:  2024年11月8日 14:00-15：00

VENUE:  南山智园崇文园区3号楼520会议室

SPEAKER:  郑韦志 世界先进积体电路 技术副理

TITLE: 构建基于物理的TCAD模型用于GaN功率HEMT器件研发

HOST:  汪青 研究教授

20241108-SME学术讲座152期 郑韦志.jpg

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