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8月31日上午,北京大学东莞光电研究院常务副院长、北京大学物理学院张国义教授,北京大学东莞光电研究院副院长王琦来访我院调研座谈。深港微电子院长于洪宇教授,党支部书记汪青教授接待来访嘉宾,双方座谈交流。微电子学院研究教授丁孙安参加座谈。
座谈现场
汪青教授向来访嘉宾介绍了深港微电子学院师资队伍建设、人才培养、科学研究和产学研合作等方面的基本情况,并介绍了于洪宇院长团队在GaN功率和射频器件领域开展共性关键技术研究所取得的一系列研究成果,以及基于GaN器件的电源系统和应用于5G通讯的PA模块研发,此外,团队在GaN气体传感器、氧化镓MOS器件、LiNbO3薄膜基谐振器及滤波器领域也展开了相关的创新性工作。
王琦副院长做介绍
王琦副院长介绍了北京大学东莞光电研究院的基本情况和研究成果。研究院依托北京大学物理学院的技术及人才优势,着力发展第三代半导体材料与器件技术研发,现建有广东省宽禁带半导体工程技术研究中心,广东省宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心,东莞市第三代半导体材料及器件技术重点实验室等研发平台。研究院承担了多项国家、省、市系列重大科研和产业化任务,已经成为成为华南地区第三代半导体科技创新、科技成果转化、高科技产业孵化和人才培养的重要基地,为区域第三代半导体产业的发展提供强有力的技术支持。
张国义教授讲话
座谈会上,双方围绕第三代半导体材料、器件和系统等方面展开热烈讨论,希望能结合微电子学院与光电研究院双方的优势科研力量,积极开展科研项目申报、平台建设、国家标准制定、专利运营平台及技术转移等方面的合作。
会前,于洪宇院长陪同张国义教授一行参观了学院展厅。
合影