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西电微电子学院副院长马晓华教授受邀来我院学术交流

2020-12-16综合新闻

2020年12月15日,西安电子科技大学微电子学院副院长马晓华教授受邀来我院学术交流,带来题为“ (超)宽禁带半导体材料、器件和芯片研究进展”的精彩报告。讲座由学院院长于洪宇教授主持,学院部分师生代表参加讲座。

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讲座现场

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于洪宇院长讲话

于洪宇院长代表深港微电子学院对马教授的到访表示热烈欢迎,并从人才培养、师资团队、学科建设、产学研合作等方面向马教授介绍了微电子学院的基本情况。随后,马晓华教授从学校红色历史沿革、办学现状、学科科研优势、产教融合平台等方面对西电微电子学院进行了全面介绍。

马晓华教授,现任西安电子科技大学微电子学院副院长,宽禁带半导体国家工程中心主任,教育部“长江学者”特聘教授和国务院特殊津贴获得者,曾获国家“万人计划”科技创新领军人才和 “国防卓越青年基金支持计划”支持者,国家重点研发计划首席科学家。马晓华教授长期从事宽禁带半导体微波/毫米波器件和芯片领域的研究和人才培养,尤其是在高效率、高线性微波/毫米波功率器件结构创新、系统设计及可靠性机理等方面的研究取得了创新性和应用性的成果并有力的推动了宽禁带半导体微波功率器件的产业化应用。

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马晓华教授作报告

马教授在报告中指出,(超)宽禁带半导体材料非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件,其具有良好的抗辐射能力及化学稳定性、较高的饱和电子漂移速度及导热率、优异的电性能等特点。近年来,迅速发展起来的以GaN、GaO、金刚石为代表的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料,进行宽禁带半导体材料的相关技术研发正在成为全球半导体产业新的战略高地。马教授认为,这将在未来材料研究、关键设备的制造、器件结构工艺等各个方面带来更多的挑战和机遇。马教授结合国际上在该领域的创新思路,着重讨论了目前国际上在该领域的研究热点,以及我国在这些重点研究领域的现状、优势以及和未来的发展思路。

在报告最后,现场郭跃进教授、张国飙教授相继提问,马晓华教授一一耐心作答,现场气氛热烈。

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颁发聘书

报告结束后,于洪宇院长向马晓华教授颁发了南方科技大学深港微电子学院战略指导委员会委员聘书。

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参观展厅

报告前,于洪宇院长、周生明副院长陪同马晓华教授参观了微电子学院“芯科技”展厅。

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合影

 



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