南方科技大学深港微电子学院叶怀宇团队在ACS AMI发表关于二维半导体二硫化钨纳米材料的文章

2019-12-03 科研聚焦 浏览量：19586

南方科技大学深港微电子学院叶怀宇研究团队在材料领域顶级期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》发表了题为“Ultra-High Sensitive NO2 Gas Sensor Based on Tunable Polarity Transport in CVD-WS2/IGZO p-N Heterojunction”的研究论文，在这项工作中，作者通过化学气相沉积生长的二维半导体纳米材料二硫化钨（WS2）与溅射的铟镓锌氧化（IGZO）膜堆叠在一起而制成p-N异质结的薄膜晶体管气体传感器，研究发现其具有最佳的NO2气体传感器响应。随着NO2含量的增加，该晶体管变为p型。这些结果表明，其气体调制晶体管特性显示了在基于二维材料异质结的晶体管器件的可调工程中的潜在应用。

过渡金属硫化物由于其独特的结构和电学性能在近年来一直被国内外研究者所青睐。其单层优越的直接带隙结构和卓越的性能已经被证实可以作为新型半导体器件的理想材料。由于二硫化钨（WS2）具有良好的可拉伸性和柔韧性，这会使其在微电子以及半导体领域的应用前景十分广阔和有意义。另一方面，柔性微纳技术行业也看好这种二维半导体材料，因此，其发展空间以及未来发展前景将会是十分广阔和诱人的。

南方科技大学叶怀宇副教授为论文第一通讯作者，南方科技大学于洪宇教授为共同作者，南方科技大学为第一通讯作者署名单位。共同参与的单位还有荷兰代尔夫特理工大学，清华大学等国内外大学和研究机构。

叶怀宇领衔的研究团队长期致力于二维半导体电子器件的相关理论、材料及工艺等多方面的研究，目前已经在相关顶级期刊发表论文十余篇，并都得到编辑和审稿人的高度肯定。

论文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.9b13773