Si衬底上GaN功率器件的关键技术研究及应用 项目启动会圆满召开

2019-07-12 综合新闻 浏览量：3867

2019年7月11日14：00在南方科技大学台州楼114会议室召开了Si衬底上GaN功率器件的关键技术研究及应用项目启动会。广东省科学技术厅的代表韦文求先生、华南师范大学李述体教授、中山大学江灏教授、深圳市科技创新委员会电子信息科技处陈文献先生、深港微电子学院院长于洪宇教授、副院长周生明先生及本次项目合作单位代表、深港微电子学院教授代表等出席了本次启动会，会议由深港微电子学院吕敏老师主持。

广东省生产力促进中心的韦文求先生首先介绍了2019年度广东省重点领域研发计划项目情况与管理规程，明确了此次启动会的目的是“学政策、建机制、抓落地”，宣讲重点研发计划相关管理规程，明确各方使命和职责。

韦文求先生发言

深港微电子学院院长于洪宇教授介绍了学院情况，学院现已正式获批“国家示范性微电子学院”筹备建设单位。学院建设初期，各项工作有条不紊地迅速开展，人才引进、学生培养和产学研合作方面均取得了较好成绩。

于洪宇教授发言

南方科技大学和9个项目参与单位分别介绍了项目的前期基础、项目分工、目前工作进度和未来工作计划。

评审专家为本项目提出了宝贵的意见和建议，认为项目中各单位配置齐全，成员合理，要注重项目内部合作的联络与整体性，不能脱节。希望本项目能努力实现从外延、芯片设计、工艺流程、器件测试及封装，到电路驱动模块实现内部流转，统一自产。圆桌会议上大家踊跃地发表了自己对项目的建议和对下一步工作计划的展望。

Si衬底上GaN功率器件关键技术研究及应用项目启动会圆满召开。本项目针对国家及广东省电力节能应用需求，在6寸产品线上开展具有自主知识产权的Si基GaN增强型功率开关管的研制，解决Si基GaN大尺寸高耐压外延、产业化制备、可靠性、高频驱动芯片和DC-DC模块等关键技术问题，实现全产业链协同创新，将推动GaN在高效电源领域的应用进程。