深港微电子学院余浩教授在IET出版英文专著 《ReRAM-based Machine Learning》

2020-12-15 综合新闻 浏览量：7406

近日，南方科技大学深港微电子学院余浩教授在英国工程技术学会（IET，The Institution of Engineering and Technology）出版社，出版英文专著《ReRAM-based Machine Learning》”。IET出版图书涵盖12个专业系列，覆盖工程技术关键领域：电路、设备与系统，控制工程，电气技术，电磁场与波，技术史，制造，技术管理，电力与能源，计算专业应用，雷达、声呐、导航和航空电子学，再生能源，通讯。

图：基于忆阻器ReRAM的深度学习加速器芯片架构

本书主要综述最新基于忆阻器（ReRAM）做存内计算的研究进展。在现代人工智能技术中，随着数据量增大，对如此大量的数据集如何进行低功耗高效率分析带来了巨大需求。当前面临的主要挑战之一，是如何从计算内存中获取数据并将其写回时遇到的内存墙瓶颈。为了解决这些问题，作者引入基于忆阻器器件的存内计算支持框架。忆阻器具有低功耗、体积小、最小化的泄漏功率等特点，并且忆阻器器件工艺与业界广泛使用的CMOS工艺兼容，被认为是目前最有前途的存内计算解决方案。在本书中，作者首先介绍了忆阻器器件模型及仿真方法，然后设计了基于忆阻器器件的逻辑计算电路，提出了适合存内计算架构的分布式计算的忆阻器加速器设计，同时提出了适合忆阻器加速器计算的二值化机器学习算法。 最后，作者给出了具体大规模神经网络（ResNet）计算模型及压缩感知计算模型在忆阻器加速器上的映射实现，为未来基于忆阻器计算的范式提出了具体实现参考路线。本书的出版丰富了微电子专业学生的培养，同时是从事计算领域的研究人员（机器学习及深度学习算法工程师）和计算硬件工程师们，了解现代AI硬件设计相关器件，系统及算法的重要参考文献。

相关专著：

Hao Yu, Leibin Ni and Sai Manoj Pudukotai Dinakarrao, ReRAM-based Machine Learning, IET 2020. (ISBN: 978-1-83953-081-4)