当前位置 :首页>教职员工
1986年至1992年,美国加州理工学院,物理化学,理学博士
1982年至1985年,吉林大学,物理化学,理学硕士
1978年至1982年,吉林大学,半导体材料,理学学士
2018年至今,南方科技大学,研究教授
2017年2018年,深圳修远电子科技有限公司,副总裁
1995年至2010年,美国英特尔公司,高级工程师
1994年至1995年,美国洛斯阿拉莫斯美国国家实验室,博士后
1992年至1994年,美国加州理工学院,博士后
1.三维chiplet等先进芯片封装材料与工艺研究
2.封装基板及散热材料的研究
3.氮化镓大功率射频器件的散热研究
4.材料计算、材料仿真
2018年,代表团对获得深圳“创业之星”大赛各行业总冠军(全球 4000 多家创新企业第一名)
在美国英特尔公司,得到了十次部门最高奖(Divisional award)
[1]M. MAHROKH, HONGYU YU*, AND YUEJIN GUO*; Thermal Modeling of GaN HEMT Devices With Diamond Heat-Spreader, IEEE Journal of The Electron Devices Society, 2020, 8: 986-991.
[2] Lii, M. Sankman, B., Azimi, H., Yeoh, H. & Guo, Y*; Flip-Chip Technology on Organic Pin GridArray Packages, Intel Technology Journal, 2000, 1-8.
[3]Y. Guo and W. A. Goddard III*; Is carbon nitride harder than diamond? No, but its girth increases when stretched (negative Poisson ratio), Chemical Physics Letters, 1995, 237:72-76.
[4]Y. Guo, N. Karasawa, and W. A. Goddard III*; Prediction of fullerene packing in C60 and C70 crystals, Nature, 1991, 351:464-467.
[5]G. Chen, J-M. Langlois, Y. Guo, and W. A. Goddard III*; Magnon-Exchange Pairing and Superconductivity, Science, 1989, 547.
[6]Y. Guo, J-M. Langlois, and W. A. Goddard III*; Electronic structure and valence-bond band structure of cuprate superconducting materials, Science, 1988, 239:896-899